WNSC2D08650DJ
WeEn Semiconductors
Produit non:
WNSC2D08650DJ
Fabricant:
Forfait:
DPAK
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Quantité:
Livraison:
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En stock : 7490
Minimum: 1 Multiples: 1
Qté
Prix unitaire
Prix Ext
1
$2.0425
$2.0425
10
$1.6929
$16.929
100
$1.3471
$134.71
500
$1.139886
$569.943
1000
$0.967176
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Series | - |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Mfr | WeEn Semiconductors |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Base Product Number | WNSC2 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
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