VS-FC80NA20
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Produit non:
VS-FC80NA20
Forfait:
SOT-227
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10720 pF @ 50 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-227 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 405W (Tc) |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 108A (Tc) |
| Mfr | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Tube |
| Base Product Number | FC80 |
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