UG06D A1G
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UG06D A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produit non:

UG06D A1G

Forfait:

TS-1

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 15 ns
Capacitance @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Supplier Device Package TS-1
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 200 V
Series -
Package / Case T-18, Axial
Technology Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 950 mV @ 600 mA
Mfr Taiwan Semiconductor Corporation
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200 V
Package Tape & Box (TB)
Current - Average Rectified (Io) 600mA
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Base Product Number UG06