TPCC8001-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produit non:

TPCC8001-H(TE12LQM

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Forfait:

8-TSON Advance (3.3x3.3)

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MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2500 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	U-MOSV-H
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Package / Case	8-VDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Ta)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TPCC8001