TP44110HB
detaildesc

TP44110HB

Tagore Technology

Produit non:

TP44110HB

Forfait:

30-QFN (8x10)

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

GAN FET 1/2 BRIDGE .09OHM 30QFN

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : 80

Minimum: 1 Multiples: 1

Qté

Prix unitaire

Prix Ext

  • 1

    $11.0865

    $11.0865

  • 10

    $9.76315

    $97.6315

  • 100

    $8.4436

    $844.36

  • 500

    $7.652022

    $3826.011

  • 1000

    $7.018742

    $7018.742

Pas le prix que vous voulez? Envoyez RFQ maintenant et nous vous contacterons dès que possible.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Supplier Device Package 30-QFN (8x10)
Vgs(th) (Max) @ Id -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Series -
Package / Case 30-PowerWFQFN
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Power - Max -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Mfr Tagore Technology
Package Tray
Base Product Number TP44110