TO252MDD4N65DS
NextGen Components
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TO252MDD4N65DS
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Description:
MOSFET TO-252 N 650V 4A
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Series | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Mfr | NextGen Components |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 2A, 10V |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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