SUD50N024-09P-E3

Vishay Siliconix

Produit non:

SUD50N024-09P-E3

Fabricant:

Forfait:

TO-252AA

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Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 22V 49A TO252

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	22 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	49A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SUD50