STY112N65M5
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STY112N65M5

STMicroelectronics

Produit non:

STY112N65M5

Forfait:

MAX247™

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16870 pF @ 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 350 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 47A, 10V
Supplier Device Package MAX247™
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series MDmesh™ V
Power Dissipation (Max) 625W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 96A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number STY112