STW23NM60N
detaildesc

STW23NM60N

STMicroelectronics

Produit non:

STW23NM60N

Forfait:

TO-247-3

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 50 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number STW23N