STP6NC60
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STP6NC60

STMicroelectronics

Produit non:

STP6NC60

Forfait:

TO-220

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45.5 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Series PowerMESH™ II
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number STP6N