STP13N65M2
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STP13N65M2

STMicroelectronics

Produit non:

STP13N65M2

Forfait:

TO-220

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 650V 10A TO220

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590 pF @ 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series MDmesh™ M2
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number STP13