STN1N20
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STN1N20

STMicroelectronics

Produit non:

STN1N20

Forfait:

SOT-223

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 206 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.7 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Series MESH OVERLAY™
Power Dissipation (Max) 2.9W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number STN1N