STI30N65M5
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STI30N65M5

STMicroelectronics

Produit non:

STI30N65M5

Forfait:

I2PAK

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2880 pF @ 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 139mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series MDmesh™ V
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number STI30N