STH2N120K5-2AG

STMicroelectronics

Produit non:

STH2N120K5-2AG

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Forfait:

H2Pak-2

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Fiche technique:

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MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	124 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.3 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STH2N120