STE180NE10
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STE180NE10

STMicroelectronics

Produit non:

STE180NE10

Forfait:

ISOTOP®

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21000 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 795 nC @ 10 V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 40A, 10V
Supplier Device Package ISOTOP®
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series STripFET™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case ISOTOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number STE1