STB9NK70Z-1
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STB9NK70Z-1

STMicroelectronics

Produit non:

STB9NK70Z-1

Forfait:

I2PAK

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 4A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 700 V
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number STB9N