STB26N60M2
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STB26N60M2

STMicroelectronics

Produit non:

STB26N60M2

Forfait:

D²PAK

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package D²PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Series MDmesh™ M2
Power Dissipation (Max) 169W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number STB26