STB200NF04-1
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STB200NF04-1

STMicroelectronics

Produit non:

STB200NF04-1

Forfait:

I2PAK

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Series STripFET™ II
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number STB200N