STB11NM80T4
STMicroelectronics
Produit non:
STB11NM80T4
Fabricant:
Forfait:
D2PAK
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Series | MDmesh™ |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | STB11 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
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2800+Fabricants dans le monde entier
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