STB10LN80K5
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STB10LN80K5

STMicroelectronics

Produit non:

STB10LN80K5

Forfait:

D²PAK (TO-263)

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 427 pF @ 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 630mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Series MDmesh™ K5
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number STB10