SSR1N60BTM
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SSR1N60BTM

onsemi

Produit non:

SSR1N60BTM

Fabricant:

onsemi

Forfait:

TO-252AA

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 215 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12Ohm @ 450mA, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Series -
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Tc)
Mfr onsemi
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SSR1N