SQM40P10-40L_GE3

Vishay Siliconix

Produit non:

SQM40P10-40L_GE3

Fabricant:

Forfait:

TO-263 (D²Pak)

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Fiche technique:

Description:

MOSFET P-CH 100V 40A TO263

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5295 pF @ 25 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	134 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package	TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQM40