SQJQ402E-T1_GE3
Vishay Siliconix
Produit non:
SQJQ402E-T1_GE3
Fabricant:
Forfait:
PowerPAK® 8 x 8
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13500 pF @ 20 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SQJQ402 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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