SQJ860EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Produit non:

SQJ860EP-T1_BE3

Fabricant:

Forfait:

PowerPAK® SO-8 Dual

Lot:

Fiche technique:

Description:

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Quantité:

Livraison:

Paiement:

En stock : 6000

Minimum: 1 Multiples: 1

Qté

Prix unitaire

Prix Ext

Pas le prix que vous voulez? Envoyez RFQ maintenant et nous vous contacterons dès que possible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	48W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SO-8 Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)