SIHB22N60S-E3

Vishay Siliconix

Produit non:

SIHB22N60S-E3

Fabricant:

Forfait:

D²PAK (TO-263)

Lot:

Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 600V 22A TO263

Quantité:

Livraison:

Paiement:

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Nom du contact

Courriel

Nom de l'entreprise

Pays

Quantité

FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2810 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	SIHB22