SIA414DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produit non:

SIA414DJ-T1-GE3

Fabricant:

Forfait:

PowerPAK® SC-70-6

Lot:

Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

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En stock : 22406

Minimum: 1 Multiples: 1

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 4 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	8 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIA414