SI8816EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

Produit non:

SI8816EDB-T2-E1

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Forfait:

4-Microfoot

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Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	195 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	109mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package	4-Microfoot
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	500mW (Ta)
Package / Case	4-XFBGA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI8816