SI5856DC-T1-E3
Vishay Siliconix
Produit non:
SI5856DC-T1-E3
Fabricant:
Forfait:
1206-8 ChipFET™
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Series | TrenchFET® |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SI5856 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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