SI5475BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
Produit non:
SI5475BDC-T1-GE3
Fabricant:
Forfait:
1206-8 ChipFET™
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 6 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Series | TrenchFET® |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SI5475 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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