SI5415AEDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
Produit non:
SI5415AEDU-T1-GE3
Fabricant:
Forfait:
PowerPAK® ChipFet Single
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 10 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Single |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Series | TrenchFET® |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SI5415 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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