SI4636DY-T1-E3
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SI4636DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Produit non:

SI4636DY-T1-E3

Fabricant:

Vishay Siliconix

Forfait:

8-SOIC

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

Quantité:

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2635 pF @ 15 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 4.4W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI4636