SI3812DV-T1-E3
detaildesc

SI3812DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produit non:

SI3812DV-T1-E3

Fabricant:

Vishay Siliconix

Forfait:

6-TSOP

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Series LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max) 830mW (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI3812