SI3445DV-T1-E3
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SI3445DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produit non:

SI3445DV-T1-E3

Fabricant:

Vishay Siliconix

Forfait:

6-TSOP

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET P-CH 8V 6TSOP

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A (Ta)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI3445