SI3440DV-T1-E3
detaildesc

SI3440DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produit non:

SI3440DV-T1-E3

Fabricant:

Vishay Siliconix

Forfait:

6-TSOP

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : 3444

Minimum: 1 Multiples: 1

Qté

Prix unitaire

Prix Ext

  • 1

    $1.3965

    $1.3965

  • 10

    $1.24545

    $12.4545

  • 100

    $0.970995

    $97.0995

  • 500

    $0.802142

    $401.071

  • 1000

    $0.63327

    $633.27

Pas le prix que vous voulez? Envoyez RFQ maintenant et nous vous contacterons dès que possible.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI3440