SI2302ADS-T1
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SI2302ADS-T1

Vishay Siliconix

Produit non:

SI2302ADS-T1

Fabricant:

Vishay Siliconix

Forfait:

SOT-23-3 (TO-236)

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 50µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Series -
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Ta)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI2302