SI2301CDS-T1-BE3

Vishay Siliconix

Produit non:

SI2301CDS-T1-BE3

Fabricant:

Forfait:

SOT-23-3 (TO-236)

Lot:

Fiche technique:

Description:

P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Quantité:

Livraison:

Paiement:

En stock : 283

Minimum: 1 Multiples: 1

Qté

Prix unitaire

Prix Ext

Pas le prix que vous voulez? Envoyez RFQ maintenant et nous vous contacterons dès que possible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	405 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)