SI1480DH-T1-BE3

Vishay Siliconix

Produit non:

SI1480DH-T1-BE3

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Forfait:

SC-70-6

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Fiche technique:

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MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	130 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package	SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI1480