SI1079X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produit non:

SI1079X-T1-GE3

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Forfait:

SC-89-6

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MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 15 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Supplier Device Package	SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	330mW (Ta)
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.44A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI1079