SE20DTJ-M3/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Produit non:
SE20DTJ-M3/I
Forfait:
SMPD
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
DIODE GEN PURP 600V 3.8A SMPD
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Prix Ext
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3 µs |
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | SMPD |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25 µA @ 600 V |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
| Technology | Standard |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 20 A |
| Mfr | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Current - Average Rectified (Io) | 3.8A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
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