SCT20N120H
STMicroelectronics
Produit non:
SCT20N120H
Fabricant:
Forfait:
H2Pak-2
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 400 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V |
| Supplier Device Package | H2Pak-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SCT20 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
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