RN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
Produit non:
RN1961FE(TE85L,F)
Fabricant:
Forfait:
ES6
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Series | - |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 100mW |
| Mfr | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Base Product Number | RN1961 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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