RFN10NS6STL
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RFN10NS6STL

Rohm Semiconductor

Produit non:

RFN10NS6STL

Forfait:

LPDS

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns
Capacitance @ Vr, F -
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package LPDS
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 600 V
Series -
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.55 V @ 10 A
Mfr Rohm Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Package Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io) 10A
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Base Product Number RFN10