QJD1210011
Powerex Inc.
Produit non:
QJD1210011
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Forfait:
Module
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Series | - |
| Package / Case | Module |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Power - Max | 900W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Mfr | Powerex Inc. |
| Package | Bulk |
| Base Product Number | QJD1210 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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