PTAB182002TCV2R250XTMA1
Infineon Technologies
Produit non:
PTAB182002TCV2R250XTMA1
Fabricant:
Forfait:
H-49248H-4
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Quantité:
Livraison:
Paiement:
En stock : S'il vous plaît enquête
S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.
Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Current - Test | 520 mA |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Power - Output | 29W |
| Supplier Device Package | H-49248H-4 |
| Series | - |
| Voltage - Test | 28 V |
| Package / Case | H-49248H-4 |
| Technology | LDMOS |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Frequency | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Noise Figure | - |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Gain | 14.8dB |
Pièces recommandées
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Blog connexe
Purchase must see! Electronic component selection from entry to give up
2024-10-24 1
Les bases de la vibration cristalline, la conception de circuits, les causes de non - vibration, les principes de circuit, la fréquence cristalline, les applications de circuits numériques (téléchargement de matériel de vibration cristalline)
2024-04-08 2
Order transfer! A 30-year old Hong Kong-owned PCB factory in Shenzhen was sold
2024-02-22 1
New product release | Daoheshun infrared methane sensor, guarding the "last pass" of gas safety
2024-02-22 1
2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
Information
Paiement
Liens rapides
CopyRight © 道合顺 2013 - 2022 粤ICP备18104022号 粤公网安备 44030402004525号