PSMN5R5-100YSFX

Nexperia USA Inc.

Produit non:

PSMN5R5-100YSFX

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LFPAK56, Power-SO8

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PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6238 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	238W (Ta)
Package / Case	SC-100, SOT-669
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	115A (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PSMN5