PMT560ENEAX
NXP Semiconductors
Produit non:
PMT560ENEAX
Fabricant:
Forfait:
SOT-223
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
NEXPERIA PMT560ENEA - 100V N-CHA
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 112 pF @ 50 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 715mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Mfr | NXP Semiconductors |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Package | Bulk |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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