Accueil / FET, MOSFET Arrays / PJQ5850-AU_R2_000A1
PJQ5850-AU_R2_000A1
detaildesc

PJQ5850-AU_R2_000A1

Panjit International Inc.

Produit non:

PJQ5850-AU_R2_000A1

Forfait:

DFN5060B-8

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 425pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package DFN5060B-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Series -
Package / Case 8-PowerTDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 2W (Ta), 14.4W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 14A (Tc)
Mfr Panjit International Inc.
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number PJQ5850