PJP4NA65H_T0_00001
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PJP4NA65H_T0_00001

Panjit International Inc.

Produit non:

PJP4NA65H_T0_00001

Forfait:

TO-220AB

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

650V N-CHANNEL MOSFET

Quantité:

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Paiement:

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 423 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.1 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.75Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series -
Power Dissipation (Max) 44W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Mfr Panjit International Inc.
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number PJP4