PHKD3NQ10T,518
Nexperia USA Inc.
Produit non:
PHKD3NQ10T,518
Fabricant:
Forfait:
8-SO
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Series | TrenchMOS™ |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 2W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Mfr | Nexperia USA Inc. |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | PHKD3 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
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