PHKD13N03LT,518
NXP USA Inc.
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PHKD13N03LT,518
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8-SO
Lot:
-
Fiche technique:
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Description:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 752pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Series | TrenchMOS™ |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 3.57W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A |
| Mfr | NXP USA Inc. |
| Package | Bulk |
| Base Product Number | PHKD13 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
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